重大突破，中德合作取得光量子芯片巨大进展，美国的垄断被打破

中国在光量子芯片技术上本来就已取得了重大进展，近日消息指中国的研发团队与德国专家合作，进一步加快了光量子芯片的发展，取得了多个全球首次，光量子芯片正在接近，这将对当下全球芯片行业产生重要影响。

据知名媒体确认，中国研发光量子芯片取得领先优势的研发团队--中国科学技术大学郭光灿院士团队在近期取得了光量子芯片技术的重大进展，郭光灿院士团队与德国马克斯普朗克光科学研究所MarioKrenn教授合作对光量子芯片技术进一步研发，于近期取得了多个全球首次技术突破。

一是基于硅基光子集成芯片实现了四光子源的制备；二是实现频率兼并四光子纠缠源制备；三是实现波导模式编码的量子逻辑门操作和超紧凑量子逻辑门操作。这些均是光量子芯片技术的首次，为光量子芯片的实现奠定了基础。

郭光灿院士团队在研发光量子芯片方面早已取得了许多学术成果，推动了光量子芯片技术的快速发展，然而他们并未因此而忽视与国际的合作，通过与德国的知名教授MarioKrenn合作，取长补短，共享中国和德国在光量子芯片技术方面的资源，从而加速了这项技术的发展。

这种做法其实是非常合适的做法，毕竟如今科技的发展已不仅仅是一个人、一个团队乃至一个国家能完全搞定的事情，每个国家都有自己领先的技术优势，通过加强国际合作可以推动光量子芯片的早日实现，也能更快地推进这些技术的应用，显然这与美国意图独占科技巅峰完全不同，这对于科技的发展更有益处。

这方面的典型当属4G技术，当年美国意图延续3G技术的垄断优势，美国两家科技巨头分别提出了各自的4G技术，高通试图延续CDMA专利优势而提出了UMB技术，Intel则意图在移动通信行业插一脚推出了以WiFi技术为基础的wimax技术，美国企业不同心的结果是它们都失败了。

中国和欧洲在3G时代由于高通的CDMA专利霸权吃了不少亏，因此共同提出了LTE技术，绕开了高通的CDMA技术，后来的结果证明UMB存在重大缺陷，Intel与高通没有共同利益导致高通没有支持wimax而支持与它有更紧密利益关系的TD-LTE，最终4G技术统一为LTE。

中国推动的光量子芯片技术已取得领先优势，但是在商用的过程中只有团结全球诸多行业的力量才能加快发展，这次再次选择了欧洲的德国，如此中欧合作可望再次在芯片技术行业打破美国的垄断。

当前的硅基芯片技术由美国主导，美国形成了从硅基芯片材料、EDA工具、芯片设备、芯片标准等完整的生态，由此导致欧洲从早年占全球芯片市场近三成的市场份额跌至如今的8%，为了重振芯片产业，欧盟在2022年底签署了450亿欧元的芯片产业计划，希望至2030年取得全球芯片市场20%的份额。

中国芯片近几年更是备受美国限制，为此中国已多方发展自己的芯片产业，光量子芯片技术正是中国变革全球芯片行业的重要机会，与欧洲有更多共同的利益，双方合作可谓水到渠成。

中德合作研发先进芯片技术取得重大突破，证明了先进科技的研发通过合作可以得到加速，而试图独食的只会进一步落后，面对中德合作取得光量子芯片技术的进展，美国还有信心继续捣乱全球芯片产业链么？