产业链已准备好，中国光子芯片量产在即，美国挡不住了

在2022年底媒体报道了全球第一条光子芯片生产线已在北京抽检，预计2023年就能投入量产，今日消息指中科院也宣布了3纳米光子芯片晶体管技术取得突破，证明中国确实有足够的能力确保光子芯片的量产。

中科院的技术突破与北京这家芯片企业的光子生产线可谓互相呼应，证明中国各个行业都在积极推进光子芯片的量产，确保这项先进技术的芯片能及时量产，其实除了这些企业之外，中国其他芯片企业也在光子芯片的推进中发挥了重要作用。

其中合肥本源电子研发的无损探针电学测量平台被誉为光子芯片的光刻机，这意味着中国在光子芯片生产的产业链上也已获得了重大突破，确保光子芯片生产的设备完全采用国产设备，避免再次受制于海外。

中国确保光子芯片生产在设备方面完全国产化，在于此前硅基芯片的生产得到的教训，中国正在力推先进工艺的研发，目前已推进到14纳米，还继续往7nm推进，然而美国却突然要求ASML不要将14nm以下的光刻机出售给中国，由此对中国的先进工艺研发造成了影响。

如今在光子芯片的生产方面，从一开始就注重芯片设备的自主化，无疑是希望在光子芯片的推进过程中避免再次如硅基芯片那样受制于美国，确保中国在先进芯片技术方面的推进，进而实现反超。

中国选择换道发展芯片显然是一个正确的做法，这是因为当前的硅基芯片技术在相当程度上受制于美国，另一个则是硅基芯片已逐渐接近极限，这都影响着中国发展硅基芯片技术路线。

美国毕竟发展硅基芯片技术已有近百年历史，依靠近百年的积累，即使如今芯片产业已高度全球化，全球芯片行业依然深受美国的影响，芯片核心架构X86被美国垄断，ARM则离不开美国的技术，光刻机巨头ASML大量采用了美国技术，等等这些都让全球芯片行业深受美国的影响，这也是这些相关企业无奈接受美国的霸道要求的原因。

硅基芯片目前主要是依靠芯片制造工艺提升芯片性能、降低功耗，然而随着芯片制造工艺达到3纳米，台积电和三星这些芯片制造企业已感受到推进先进工艺面临着巨大的困难，ASML更表示它目前的光刻机技术仅能达到1纳米级别，进一步沿着这条技术路线突破1纳米已基本不可能。

这就意味着中国继续发展硅基芯片技术的话，数年之后即使能突破7纳米，到时候硅基芯片也可能已经成为落后的技术，及早开发光子芯片将可以确立芯片新技术路线，甚至可以成为芯片技术的领军者，而且这一次中国吸取了教训，从芯片设备等都以自主化为目标，确保我们能完全掌控这项全新的技术，美国将无法再借助它拥有的技术优势对中国芯片产业施加影响。

中国在光子芯片技术的突破，印证了美国富豪比尔盖茨的言论，比尔盖茨认为限制无助于阻止中国发展先进芯片技术，反而会激发中国芯片行业的潜力，如今中国在芯片技术另辟赛道，无疑印证了比尔盖茨的说法，中国芯片将取得前所未有的突破，再不受美国的影响。